一个月前刚刚宣布量产新一代HBM3E高带宽存储芯片的英伟达供应商SK海力士,现在又朝着下一代产品迈出崭新征程。当地时间周五,SK海力士与台积电发布公告,宣布两家公司就整合HBM和逻辑层先进封装技术签订谅解备忘录。双方将合作开发第六代HBM产品(HBM4),预计在2026年投产。
众所周知,高带宽内存(High Bandwidth Memory)是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔(TSV)连接这些芯片,从而显著提高内存带宽。
SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功,后来被称为HBM1的芯片通过AMD的Radeon R9 Fury显卡首次登陆市场。后续,HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称,HBM3E带来了10%的散热改进,同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。
技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言,根据英伟达官方的规格参数表,H100产品主要搭载的是80GB的HBM3,而使用HBM3E的H200产品,内存容量则达到几乎翻倍的141GB。
找台积电做些什么?
在此次合作前,所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺,包括制造封装内最底层的基础裸片,然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。
两家公司在公告中表示,从HBM4产品开始,准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能,公司可以生产在性能、功效等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外,双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合(2.5D封装)。
通过与台积电的合作,SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商,海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片,今年开始交付HBM3E芯片。
对于台积电而言,AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下,维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间,约有10%投资于先进封装能力。